为扶植本土半导体产业，中国祭出了“大基金”策略，但那就像是福利彩票，尽管巨额资金吸引半导体业者跃跃欲试，却不知道如何能赢。
中国晶圆代工大厂中芯国际(SMIC)提供自家的案例：该公司取得了65纳米与45纳米工艺技术授权以求快速上市，却没有修改工艺技术的权力、不能创造具附加价值的服务；所以中芯又与IBM共同开发28纳米工艺技术，虽然拥有了弹性，却拉长了产品上市时程。

大客户高通(Qualcomm)在去年开始采用其28纳米多晶硅工艺，但中芯要等到今年底才会开始量产较高价值的High-K金属闸极版本工艺。中芯并在去 年6月宣布了一个雄心勃勃的计划，将与IMEC、华为(Huawei)与高通共同开发14纳米FinFET技术；不过预期该技术要到2019年才能准备就绪，恐怕落后竞争对手台积电(TSMC)三年以上。

《电子工程专辑》中芯国际营销副总裁Sunny Hui
中芯国际营销副总裁Sunny Hui在最近于美国举行的一场由SEMI主办之产业策略高峰会(Industry Strategy Symposium，ISS)上接受EE Times美国版编辑访问时表示：“我们也知道落后市场领先竞争对手许多，但这是一个我们必须经历的阶段──这场战役的一部分是必须追逐摩尔定律 (Moore’s Law)。”

台积电(TSMC)在去年12月宣布，将在中国建立一座全资晶圆厂生产16纳米FinFET 芯片；这削弱了中芯国际扮演在中国本地服务不断成长之无晶圆厂IC设计业社群的晶圆代工厂优势。中芯的困境似乎透露了中国应该孤注一掷、争取在更具竞争力的期限内提供先进技术，但Hui却表示这是错误的教训，他的建议是采取对市场动态更敏感的解决方案。

“我们欢迎更多业者建立产业生态系统，因为我们关心的是，是否供应链按照需求被建立；”Hui表示：“如果中芯没办法达到够快的速度，没有理由对其他业者的出现不高兴…他们反而会迫使我们更努力加速技术开发。”

确实，中国尝试以大量低价产品主导太阳能光电板与LED市场，却也扼杀了利润；政府当局规划者应该不会希望在半导体领域重蹈覆辙。

中芯国际去年取得了约4亿美元的“大基金”补助，让该公司能开始兴建位于北京的第三座晶圆厂B3；该座晶圆厂计划生产FinFET工艺。而其B2晶圆厂今年将开始量产28纳米与40纳米工艺。

为了扶植本土半导体产业，中国究竟总共会投资多少钱还有待观察；分析师Handel Jones估计至少有300亿美元，其他分析师则表示，来自中国政府以及民间的资金，总计将达到1,000亿美元。

中国对内存需求庞大

市场研究机构Gartner与其他分析师预期，中国会在2020年成立三大主要晶圆厂，分别生产NAND、DRAM与逻辑芯片；而中国确实对内存芯片需求庞大。

内存大厂美光(Micron)的企业发展副总裁Michael Sadler在ISS表示，目前中国有四座内存晶圆厂，其中三座较大规模的厂分属于海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)与三星(Samsung)，剩余一座规模相对较小的则是隶属于中国本土业者。

Sadler认为中国的规划者将投资更多内存晶圆厂，而美光对于相关商机非常有兴趣：“美光在中国做的生意比其他国家都多，业务规模成长幅度非常大；中国很显然想要主导技术开发与如何在中国本地布署技术。”